Dépôt de couches atomiques spatial – Spatial ALD
Description
Le dépôt de couches atomiques spatial (SALD) est une alternative au dépôt de couches atomiques conventionnel (ALD) dans laquelle les précurseurs sont injectés en continu dans différents emplacements du réacteur, séparés par un flux de gaz inerte. En conséquence, la SALD est jusqu’à des ordres de grandeur plus rapide que l’ALD conventionnelle, atteignant des taux de dépôt plus typiques de la CVD. De plus, la SALD peut facilement être réalisée à la pression atmosphérique et même à l’air libre, c’est-à-dire sans nécessité d’une chambre de dépôt. En même temps, les atouts uniques de l’ALD, à savoir, le contrôle de l’épaisseur au nanomètre, la haute conformité et le dépôt de matériaux de haute qualité à basses températures (de la température ambiante à 300 °C), sont maintenus. Au LMGP, nous travaillons avec l’approche de proximité basée sur une tête de distribution. De plus, la plateforme permettra le dépôt combinatoire (épaisseur, composition, cristallinité, etc.).
D. Muñoz-Rojas and J. MacManus-Driscoll
Spatial atmospheric atomic layer deposition: a new laboratory and industrial tool for low-cost photovoltaics,
Materials Horizons, 2014, 1, 314
DOI: 10.1039/C3MH00136A
Localisation
LMGP, Grenoble.
Contacts
Responsable de la plateforme : David MUNOZ-ROJAS
Coordonnateur du projet ciblé associé : Yann LECONTE
Caractéristiques techniques
Système de dépôt de couches minces permettant de préparer des couches combinatoires d’oxydes de quelques nanomètres à quelques microns d’épaisseur, sur des surfaces de l’ordre de 5 cm2.
Température de dépôt de la température ambiante à 300 °C.
Projet ciblé associé
